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1. 设备用途
本设备主要供大专院校、科研单位等针对金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛的条件下进行加压加热烧结处理，以便获得高致密度的产品，例如生产高精度氮化硅陶瓷轴承等。
2. 方案图
（图片仅供参考）
3. 主要技术参数
3.1 电源：三相 380V 50Hz
3.2 额定加热功率：≤18Kw 单相相加热
3.3 最高温度：1900℃ 使用温度室温-1850℃
3.4 工作区尺寸：100*100*100（D*H，mm）
3.5 控温区数：一区
3.6 控温方式：钨铼热电偶
3.7 控温精度：±1℃
3.8 冷态极限真空度：6.67*10-3Pa（空炉、冷态、烘烤除气后）
3.9 压升率：4Pa/h
3.10 充气气氛：惰性气体
3.11 充气压力（微正压）：≤0.03MPa
3.12 最大压力：5T（数显、自动调压、自动保压、伺服电动缸）
3.13 压头直径：Ф40 mm
3.14 压力波动：≤±100N，位移精度≥0.01mm
3.15 压力行程：0～100mm（数显）
3.16 压力控制：伺服电动控制（伺服电机控制）
4. 设备构成
序号 | 名称 | 数量 | 序号 | 名称 | 数量 |
1 | 炉门 | 2 | 炉体 | ||
3 | 龙门架 | 4 | 加热及隔热系统 | ||
5 | 真空系统(扩散泵） | 6 | 伺服电动压力系统 | ||
7 | 自动充放气系统 | 8 | 水冷却系统 | ||
9 | 控制系统 | 10 | 变压器及连接电缆 | ||
5. 结构及功能说
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